リンスに気をつけよう

カードローンについて

今のカードローンに注力する銀行が増えている。法改正で個人負債が年俸の30％までしか融資やキャッシングができなくなったが、銀行カードローンの場合、負債は、年俸の30％を超えても融資可能なこと、人によっては、金利も安く融資されるのが長所だ。銀行のカードローンなので審査が通過している例も少なくない。
ゴールドカードのデザインを比較しているサイトを発見しました。ゴールドカードは、およそ誰もが同じような設計かなと思っていたが、比較サイトで見ると、かなり様々なデザインがありました。色はゴールドではないゴールドカードもあり、地球を大きくデザインしたカードもありました。カードデザインで選ぶタイプの人は、非常に存続するサイトですよ。
コールセンター運営会社の NTT ソルコ（NTT Solco）は2011年6月14日、被災地域復興のため、東日本大震災の被災地域で新たに95名程度のパート社員を募集する、と発表した。

募集職種は、NTT 東日本のサービス、商品に関する電話受付業務など。勤務地は、仙台市、福島市、ひたちなか市。

内訳は、仙台市が50名程度、福島市が25名程度、ひたちなか市が20名程度。
 

消費者庁と総務省は2011年6月14日、next media に対し、「特定電子メールの送信の適正化等に関する法律」に違反して、自己の運営する Web サイト「ラブリンクα」の広告または宣伝を行う電子メールを送信した、として、措置命令を行った、と発表した。

next media は、少なくとも2010年10月1日から2011年5月15日までの間、運営する Web サイトの広告、宣伝を行う電子メールを送信する際、受信者の同意を得ていなかった、また、受信者が受信拒否を通知できる旨を表示していなかった、とし、消費者庁と総務省は、next media に対し、電子メールの送信で、法律の規定の遵守を命じる措置命令を行った。

法律では、送信者は、特定電子メールを送信するよう求める旨、または送信に同意する旨を、送信者または送信委託者に対し通知し、それ以外には、原則として、特定電子メールの送信をしてはならない、と規定している。

また、送信者は、特定電子メールの送信に当たって、送信者の氏名または名称など一定の事項がメール本文に正しく表示されるようにしなければならない、と規定している。

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米国 Microsoft は2011年6月14日、最新版 Web ブラウザ「Internet Explorer 9（IE9）」など向けの累積セキュリティ アップデート2011年6月版をリリースした。Windows のアップデート機構「Windows Update（WU）」経由で提供するため、自動アップデート機能を有効にしていれば特に何も操作することなく適用される。

このアップデートは、これまでに公開したアップデートを一括提供するもの。対象となる IE は、IE9 のほか IE6〜8。遠隔コード実行に悪用できる深刻なセキュリティ ホールなど、IE に存在する合計7件のぜい弱性を修正する。Microsoft は、直ちに適用するよう呼びかけている。

なお、このアップデートを適用すると IE9 のバージョン番号は「9.0.1」となる。メジャー バージョンは「9」、マイナー バージョンは「0」のまま変わらず、User-Agent の文字列なども変化しない。

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エルピーダメモリは6月15日、40nmプロセスクラスのDRAMとして高誘電率絶縁膜/金属ゲート電極(HKMG:High-K/Metal Gate)技術を採用した2GビットDDR2 Mobile RAM(LPDDR2)を開発したことを発表した。

HKMGは、トランジスタのゲート絶縁膜を従来のSiO2やSiNから、高誘電率の絶縁材料(High-K材料)に変更することで、リーク電流の抑制とトランジスタの高性能化を図る技術。その際、従来の多結晶シリコンゲート電極のままだと、ゲート電極の空乏化と呼ばれる現象が生じるため、ゲート電極に金属材料を用いたものへと変更(メタルゲート:Metal Gate)する必要がある。

すでにHigh-Kやメタルゲートといった技術はロジック半導体分野ではIntelやTSMC、ルネサス エレクトロニクスなどが採用しているが、シリコン以外の材料を用いるため、製造工程での熱処理温度の違いや、DRAMの構造がロジックと異なる、コスト増などの要因で、DRAMの製造プロセスとの整合は難しいとされていたが、同社ではこうした問題を、熱処理負荷の低減やデバイス構造の工夫により解決したという。

今回開発されたDDR2 Mobile RAMでは、HKMGの採用により、従来のSiO2膜に比べ、トランジスタの電気的なゲート絶縁膜厚を約30%薄膜化したほか、トランジスタのオン電流はSiO2に比べ、最大1.7倍の高性能化を実現した。

また、トランジスタのオフ電流は1/100以下に低減でき、DRAMの待機電力削減が可能となっており、これにより、同社が注力するMobile RAM分野において、将来の高速化よ低消費電力化の両立に向けためどが立ったこととなる。

なお、同社では今後、同HKMG技術の評価と改良を進め、2011年度内のサンプル出荷、ならびに30nmおよび25nmプロセス世代での量産開始を目指すとしている。

[マイコミジャーナル]

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